RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2019, том 49, номер 3, страницы 226–230 (Mi qe17001)

Управление параметрами лазерного излучения

Генерация управляемых мод Айнса–Гаусса в микрочиповом лазере с пассивной модуляцией добротности при накачке усеченным нецентральным гауссовым пучком

Минмин Чжанa, Шэнчуан Байb, Цзюнь Дунa

a Laboratoty of Laser and Applied Photonics (LLAP), Department of Electronics Engineering, College of Electronic Science and Technology, Xiamen University
b Department of Automation, Tsinghua University, China

Аннотация: Продемонстрирован микрочиповый Nd : YAG/Cr4+ : YAG-лазер с пассивной модуляцией добротности (ПМД), накачиваемый усеченным нецентральным гауссовым пучком с целью управления генерацией мод Айнса–Гаусса (IG). Моды IGe(n, n) (n = 0, ..., 4) были получены экспериментально подбором соответствующего параметра усечения, который определялся как отношение радиусов апертуры и перетяжки пучка накачки. Мода IGe(4, 4) получена при нецентральной накачке гауссовым пучком мощностью 2.6 Вт, переключение мод достигалось путем уменьшения параметра усечения. Для иллюстрации процесса селекции мод теоретически рассчитаны пороговые мощности накачки для различных мод IGe(n, n). Таким образом, в микрочиповом лазере с ПМД получена импульсная генерация мод IGe(n, n) (n ≥ 1) с пиковой мощностью более 1 кВт и наносекундной длительностью импульса; такие лазеры являются потенциальными источниками излучения для формирования гибких массивов оптических вихрей для оптических пинцетов.

Ключевые слова: моды Айнса–Гаусса, микрочиповый лазер, Nd : YAG, лазер с пассивной модуляцией добротности, Cr4+ : YAG.

Поступила в редакцию: 18.10.2018


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2019, 49:3, 226–230

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024