RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2000, том 30, номер 3, страницы 263–267 (Mi qe1701)

Эта публикация цитируется в 16 статьях

Применения лазеров и другие вопросы квантовой электроники

Самоограничение толщины алмазоподобных пленок, осаждаемых при лазерном пиролизе жидких ароматических углеводородов

А. В. Симакин, Е. Н. Лубнин, Г. А. Шафеев

Научный центр волновых исследований Института общей физики им. А. М. Прохорова РАН, г. Москва

Аннотация: Обнаружен и исследован процесс саморегуляции толщины алмазоподобной пленки, осаждаемой при нагреве излучением лазера на парах меди границы раздела прозрачной диэлектрической подложки (стекло, сапфир, кварц) с жидким ароматическим углеводородом. Толщина пленки достигает 100 нм и перестает зависеть от числа лазерных импульсов, тогда как глубина аблированной области подложки, в которой происходит осаждение пленки, монотонно возрастает. Эффект саморегуляции, наблюдаемый в широком диапазоне давлений (от 0.08 до 10 атм), обусловлен как нагревом осаждаемой пленки лазерным излучением до температуры графитизации, так и механическим ее разрушением вследствие различия коэффициентов теплового расширения пленки и подложки. Последнее подтверждается с помощью рентгеновской оже-спектроскопии, результаты которой свидетельствуют об образовании в жидкости мелкодисперсной суспензии углеродных частиц с алмазным типом связи.

PACS: 42.62.Cf, 81.15.Fg

Поступила в редакцию: 24.08.1999


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2000, 30:3, 263–267

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024