Импульсный лазерный модуль спектрального диапазона 1500–1600 нм на основе мощного полупроводникового лазера

Представлены результаты разработки и исследований лазерного излучателя, предназначенного для просветления пассивного затвора эрбий-иттербиевого лазера с пассивной модуляцией добротности. Созданный и исследованный компактный импульсный модуль (пиковая мощность более 10 Вт в импульсе длительностью 1 мкс, длина волны вблизи 1550 нм) изготовлен на базе полупроводниковых лазеров со сверхузким волноводом, интегрированных с платой импульсной накачки. Для оптимизации выходных характеристик излучения последовательное сопротивление использовано в цепи накачки лазера. Модули со свободным и волоконным выходами излучения при температуре 25 °С имеют мощность на уровне 15 и 12 Вт соответственно при форме импульса, близкой к прямоугольной.