RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2000, том 30, номер 3, страницы 279–281 (Mi qe1705)

Эта публикация цитируется в 13 статьях

Применения лазеров и другие вопросы квантовой электроники

Условия одновременного образования хлоридов Ar, Kr и Xe в многоволновом излучателе с накачкой поперечным разрядом

А. К. Шуаибов, А. И. Дащенко

Ужгородский национальный университет, Ужгород, Украина

Аннотация: Исследованы условия образования молекул АrСl(В), КrСl(В), ХеСl(D,В), Сl2(D') в импульсном поперечном разряде на смеси Аr —Кr—Хе— Сl2 (p = 2 – 30 кПа). Показано, что данный разряд является многоволновым источником ВУФ-УФ излучения на λ = 175, 222, 236, 258 и 308 нм на переходах АrСl (B  — X), КrСl (B — X), ХеСl (D — X), Cl2 (D' — A'), ХеСl (B — X) соответственно. Для получения соизмеримых яркостей излучения на вышеуказанных переходах молекул при умеренном зарядном напряжении (4 — 15 кВ) парциальное давление атомов Кr и Хе в смеси должно находиться в пределах 0.2 — 0.5 кПа. Исследуемый разряд представляет интерес для разработки многоволнового электроразрядного излучателя на хлоридах тяжелых инертных газов, работающего в области длин волн 175 — 308 нм.

PACS: 42.72.Bj, 36.90.+f

Поступила в редакцию: 30.09.1999


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2000, 30:3, 279–281

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024