А. А. Мармалюк, А. В. Иванов, В. Д. Курносов, К. В. Курносов, М. А. Ладугин, А. В. Лобинцов, А. А. Падалица, В. И. Романцевич, Ю. Л. Рябоштан, С. М. Сапожников, В. Н. Светогоров, В. А. Симаков, “Полупроводниковые лазеры на основе AlGaInAs/InP с повышенным электронным барьером”, Квантовая электроника, 49:6 (2019), 519

Эта публикация цитируется в 1 статье

Подборка работ, доложенных на Симпозиуме 'Полупроводниковые лазеры: физика и технология'

Полупроводниковые лазеры на основе AlGaInAs/InP с повышенным электронным барьером

А. А. Мармалюк, А. В. Иванов, В. Д. Курносов, К. В. Курносов, М. А. Ладугин, А. В. Лобинцов, А. А. Падалица, В. И. Романцевич, Ю. Л. Рябоштан, С. М. Сапожников, В. Н. Светогоров, В. А. Симаков

АО «НИИ "Полюс" им. М. Ф. Стельмаха», г. Москва

Аннотация: Представлены результаты экспериментальных исследований полупроводниковых лазеров на основе гетероструктур AlGaInAs/InP с различными барьерными слоями. Показано, что использование напряженных слоев с увеличенной шириной запрещенной зоны в качестве блокирующих барьеров, ограничивающих утечку носителей, позволяет увеличить выходную мощность при том же токе накачки.

Ключевые слова: полупроводниковый лазер, гетероструктура, AlGaInAs/InP, электронный барьер.

Поступила в редакцию: 04.04.2019