М. А. Фадеев, А. А. Дубинов, В. Я. Алешкин, В. В. Румянцев, В. В. Уточкин, В. И. Гавриленко, Ф. Теп, Х.-В. Хюберс, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, С. В. Морозов, “Влияние содержания Cd в барьерах на пороговую энергию оже-рекомбинации в волноводных структурах с квантовыми ямами на основе HgTe/CdxHg1-xTe, излучающих на длине волны 18 мкм”, Квантовая электроника, 49:6 (2019), 556

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Подборка работ, доложенных на Симпозиуме 'Полупроводниковые лазеры: физика и технология'

Влияние содержания Cd в барьерах на пороговую энергию оже-рекомбинации в волноводных структурах с квантовыми ямами на основе HgTe/Cd_xHg_1-xTe, излучающих на длине волны 18 мкм

М. А. Фадеев^ab, А. А. Дубинов^a, В. Я. Алешкин^a, В. В. Румянцев^a, В. В. Уточкин^a, В. И. Гавриленко^a, Ф. Теп^b, Х.-В. Хюберс^c, Н. Н. Михайлов^d, С. А. Дворецкий^d, С. В. Морозов^a

^a Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
^b Laboratoire Charles Coulomb, Universite Montpellier, France
^c Institut für Physik, Humboldt-Universität zu Berlin, Germany
^d Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск

Аннотация: Проведен численный анализ энергетического порога оже-рекомбинации в гетероструктурах HgTe/Cd_xHg_1-xTe с квантовыми ямами для различного состава твердого раствора в барьерах. Продемонстрировано, что зависимость пороговой энергии от доли кадмия в барьерах немонотонна и достигает максимума при x ≈ 0.6–0.7. Сравнение численных расчетов с экспериментальными результатами по температурному гашению стимулированного излучения в структуре Cd_0.1Hg_0.9Te/Cd_0.65Hg_0.35Te позволяет рассчитывать на более чем двукратное увеличение температуры гашения стимулированного излучения в структурах с квантовыми ямами из чистого HgTe и барьерами с высоким (~0.6) содержанием кадмия.

Ключевые слова: пороговая энергия, оже-рекомбинация, HgCdTe.

Поступила в редакцию: 04.04.2019