RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2019, том 49, номер 6, страницы 563–569 (Mi qe17068)

Эта публикация цитируется в 4 статьях

Подборка работ, доложенных на Симпозиуме 'Полупроводниковые лазеры: физика и технология'

Активная область функционально-интегрированного лазера-модулятора

Е. А. Рындин, Б. Г. Коноплев

Южный федеральный университет, г. Ростов-на-Дону

Аннотация: Предложен метод функциональной интеграции инжекционных лазеров и модуляторов генерируемого оптического излучения в единой гетероструктуре с пространственно смещенными квантовыми ямами в зоне проводимости и валентной зоне, образованными гетеропереходами второго типа. Рассмотрены структуры и зонные диаграммы активных областей функционально-интегрированных лазеров-модуляторов с амплитудной и частотной модуляцией излучения. Предложена физико-топологическая модель и методика численного моделирования лазеров-модуляторов. Показано, что максимальные частоты модуляции для исследуемых гетероструктур, в отличие от тех же частот при модуляции током накачки, не ограничены длительностью переходных процессов в цепи питания лазера и временем жизни носителей заряда в его активной области, а определяются временем жизни фотонов в резонаторе.

Ключевые слова: функционально-интегрированный инжекционный лазер-модулятор, амплитудная и частотная модуляция, гетероструктура.

Поступила в редакцию: 18.04.2019


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2019, 49:6, 563–569

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024