RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2019, том 49, номер 7, страницы 693–697 (Mi qe17073)

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Волоконные световоды

Эрбиевые световоды с повышенной стойкостью к ионизирующему излучению для суперлюминесцентных волоконных источников

А. А. Поносоваab, И. С. Азановаac, Н. К. Мироновd, М. В. Яшковe, К. Е. Рюмкинf, О. Л. Кельa, Ю. О. Шароноваa, М. А. Мелькумовf

a ПАО "Пермская научно-производственная приборостроительная компания"
b Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, г. Москва
c Пермский государственный национальный исследовательский университет
d ФГУП «Российский федеральный ядерный центр ВНИИЭФ», г. Саров Нижегородской обл.
e Институт химии высокочистых веществ РАН им. Г. Г. Девятых, г. Нижний Новгород
f Научный центр волоконной оптики РАН, г. Москва

Аннотация: Сообщается об исследовании свойств эрбиевых световодов повышенной стойкости к воздействию гамма-излучения с большой мощностью дозы. Исследовались образцы световодов с сердцевиной на основе кварцевого стекла с различными легирующими добавками. Стойкость оптических волокон к гамма-излучению достигалась дополнительным легированием сердцевины ионами церия и германия, а также оптимизацией концентрации алюминия. Проведено исследование влияния состава световодов на радиационно-наведенные потери на длине волны 1310 нм, а также на выходную мощность и средневзвешенную длину волны суперлюминесцентных волоконных источников на основе эрбиевых световодов при воздействии импульсного гамма-излучения (доза в импульсе составляла ~20 Гр). Установлено, что оптимальным для стойкого к гамма-излучению широкополосного суперлюминесцентного волоконного источника является волокно, легированное оксидами алюминия, германия и церия.

Ключевые слова: суперлюминесцентный волоконный источник, световод, эрбий, церий, ионизирующее излучение, гамма-излучение, радиационная стойкость, радиационно-наведенные потери.

Поступила в редакцию: 05.10.2018
Исправленный вариант: 27.03.2019


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2019, 49:7, 693–697

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024