RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2019, том 49, номер 8, страницы 768–772 (Mi qe17088)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Генерация ультракоротких лазерных импульсов

Использование высоколегированных германосиликатных световодов с малым диаметром сердцевины в стретчерах сверхкоротких лазерных импульсов на длине волны 1.03 мкм

Д. В. Худяковa, Д. В. Ганинa, А. Д. Ляшедькоb, А. А. Бородкинb, М. Е. Лихачевc, М. Ю. Салганскийd, С. К. Вартапетовa

a Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, г. Москва
b ООО "Оптосистемы" Центра физического приборостроения ИОФ РАН, г. Москва, г. Троицк
c Научный центр волоконной оптики РАН, г. Москва
d Институт химии высокочистых веществ РАН им. Г. Г. Девятых, г. Нижний Новгород

Аннотация: Рассмотрено использование высоколегированного германосиликатного световода с W-профилем показателя преломления и с малым диаметром сердцевины в стретчерах сверхкоротких лазерных импульсов с последующим их усилением и сжатием в полностью волоконных лазерных системах. Применение оптических световодов такого типа позволило растянуть, усилить и затем сжать лазерные импульсы с минимальными искажениями формы и длительности первоначального импульса. Благодаря дисперсионным свойствам таких световодов, позволяющим значительно увеличить длительность импульса на малой длине световода и компенсировать положительную дисперсию третьего порядка выходного компрессора на дифракционных решетках, получены усиленные импульсы с энергией 2 мкДж и длительностью 250 фс без пикосекундного пьедестала. Проведен сравнительный анализ нескольких типов световодов для использования в стретчерах сверхкоротких лазерных импульсов с точки зрения их дисперсионной совместимости с выходным компрессором на дифракционных решетках.

Ключевые слова: волоконные лазеры, фемтосекундные лазеры, усиление сверхкоротких лазерных импульсов, нелинейная фазовая самомодуляция, дисперсия групповых скоростей, высоколегированный германосиликатный световод.

Поступила в редакцию: 07.11.2018
Исправленный вариант: 30.01.2019


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2019, 49:8, 768–772

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024