RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2019, том 49, номер 9, страницы 801–803 (Mi qe17118)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Письма

РОС-лазеры с высоким коэффициентом связи для спектральной области 1.55 мкм

В. В. Дюделевa, Д. А. Михайловb, Д. В. Чистяковc, Е. А. Когновицкаяab, А. В. Лютецкийa, С. О. Слипченкоa, Н. А. Пихтинa, А. Г. Гладышевd, Д. В. Денисовb, К. О. Воропаевef, А. С. Ионовe, А. В. Бабичевcd, И. И. Новиковacd, Л. Я. Карачинскийacd, В. И. Кучинскийa, А. Ю. Егоровc, Г. С. Соколовскийa

a Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, г. С.-Петербург
b Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И.Ульянова (Ленина)
c Университет ИТМО, г. С.-Петербург
d ООО "Коннектор Оптикс", г. С.-Петербург
e АО ''ОКБ-Планета'', Великий Новгород, Россия
f Новгородский государственный университет им. Ярослава Мудрого

Аннотация: Разработана технология создания полупроводниковых лазеров с распределённой обратной связью с высоким коэффициентом обратной связи для спектральной области 1.55 мкм. Продемонстрирована устойчивая одночастотная генерация в широком диапазоне температур. Максимальный коэффициент подавления боковых мод составил более 30 дБ.

Ключевые слова: распределённая обратная связь, одночастотная генерация, величина подавления боковых мод, полупроводниковый лазер.

Поступила в редакцию: 25.07.2019


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2019, 49:9, 801–803

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024