Исследование многомодовых полупроводниковых лазеров на основе гетероструктуры типа зарощенная меза

Методом МОС-гидридной эпитаксии на подложке GaAs создана лазерная гетероструктура AlGaAs/GaAs/GaInAs типа зарощенная меза с длиной волны излучения 1050 нм. На основе полученной гетероструктуры изготовлены и исследованы мезаполосковые лазерные диоды с апертурой 100 мкм. Внутренние оптические потери лазерных диодов составили 2.4 см^-1. При длине резонатора лазера 2900 мкм достигнута выходная оптическая мощность в две стороны 2.1 и 23 Вт в непрерывном и импульсном режимах генерации соответственно.