Н. Н. Ильичев, Г. А. Буфетова, Э. С. Гулямова, П. П. Пашинин, А. В. Сидорин, В. В. Туморин, В. П. Калинушкин, Е. М. Гаврищук, Д. В. Савин, С. А. Родин, В. Б. Иконников, “Оже-эффект тушения свободными электронами возбужденного состояния Fe2+ в ZnSe”, Квантовая электроника, 49:12 (2019), 1175

Эта публикация цитируется в 12 статьях

Активные среды

Оже-эффект тушения свободными электронами возбужденного состояния Fe²⁺ в ZnSe

Н. Н. Ильичев^a, Г. А. Буфетова^a, Э. С. Гулямова^a, П. П. Пашинин^a, А. В. Сидорин^a, В. В. Туморин^a, В. П. Калинушкин^a, Е. М. Гаврищук^b, Д. В. Савин^b, С. А. Родин^b, В. Б. Иконников^b

^a Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, г. Москва
^b Институт химии высокочистых веществ РАН им. Г. Г. Девятых, г. Нижний Новгород

Аннотация: Экспериментально обнаружено влияние свободных электронов в кристалле ZnSe : Fe²⁺ на нелинейное пропускание мощного лазерного излучения с длиной волны 2940 нм при комнатной и низкой температурах. Использовались образцы ZnSe : Fe²⁺, легированные дополнительно Al. В сильном поле (пиковая интенсивность около 4.6 МВт/см²) пропускание образца ZnSe : Fe : Al с электронной проводимостью практически такое же, как и в слабом поле, и при низкой, и при комнатной температуре. Отсутствие увеличения пропускания этого образца для мощного излучения интерпретировано как увеличение интенсивности насыщения поглощения Fe²⁺ на этой длине волны, что является следствием уменьшения времени жизни возбужденного состояния Fe²⁺. Уменьшение времени жизни связывается с известным эффектом Оже тушения люминесценции примеси в полупроводниках свободными электронами.

Ключевые слова: эффект Оже, свободные электроны, ZnSe : Fe²⁺, нелинейное пропускание.

Поступила в редакцию: 25.09.2019