RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2020, том 50, номер 3, страницы 299–304 (Mi qe17209)

Эта публикация цитируется в 5 статьях

Применения лазеров и другие вопросы квантовой электроники

Наноалмазы с SiV-центрами окраски для квантовых технологий

А. И. Зеленеевabc, С. В. Большедворскийadc, В. В. Сошенкоdc, О. Р. Рубинасabdc, А. С. Гаранинаe, С. Г. Ляпинf, В. Н. Агафоновe, Р. Е. Узбековe, О. С. Кудрявцевg, В. Н. Сорокинbd, А. Н. Смоляниновc, В. А. Давыдовf, А. В. Акимовbdh

a Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет)
b Российский квантовый центр, Москва, Сколково
c ООО "Фотонные нано-мета технологии", Москва, Сколково
d Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН, г. Москва
e University of Tours, France
f Институт физики высоких давлений им. Л. Ф. Верещагина РАН, г. Москва, г. Троицк
g Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, г. Москва
h Texas A&M University, USA

Аннотация: Исследованы свойства центров окраски кремний-вакансия (SiV-центр) в ультрананоразмерных алмазах. Наноалмазы были получены посредством индуцируемых высокими давлениями и температурами превращений смесей органических и гетероорганических соединений, не содержащих металл-катализаторов. Распределение по размерам выращенных наноалмазов определялось методами просвечивающей электронной микроскопии и атомно-силовой микроскопии, а также оценивалось с использованием модели пространственной локализации фононов. Исследованы также спектры комбинационного рассеяния различных наноалмазов и люминесцентные свойства SiV-центров в них.

Ключевые слова: наноалмазы, SiV-центр, напряжения в кристаллической решетке, спектроскопия комбинационного рассеяния, люминесцентная спектроскопия, зондовая микроскопия.

Поступила в редакцию: 14.11.2019
Исправленный вариант: 19.12.2019


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2020, 50:3, 299–304

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024