А. П. Богатов, А. Е. Болтасева, А. Е. Дракин, М. А. Белкин, В. П. Коняев, “Экспериментальное исследование α-фактора в напряженных квантоворазмерных полупроводниковых лазерах на основе InGaAs/AlGaAs/GaAs”, Квантовая электроника, 30:4 (2000), 315

Эта публикация цитируется в 5 статьях

Лазеры

Экспериментальное исследование α-фактора в напряженных квантоворазмерных полупроводниковых лазерах на основе InGaAs/AlGaAs/GaAs

А. П. Богатов^a, А. Е. Болтасева^b, А. Е. Дракин^a, М. А. Белкин^b, В. П. Коняев^c

^a Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва
^b Московский физико-технический институт (государственный университет), г. Долгопрудный, Московская обл.
^c Федеральное государственное унитарное предприятие НИИ "Полюс", Москва

Аннотация: Представлена методика экспериментального определения коэффициента амплитудно-фазовой связи (α-фактор) в полупроводниковых инжекционных лазерах; он получен для квантоворазмерных лазеров на основе InGaAs/AlGaAs/GaAs с одной квантовой ямой при концентрациях инжектированных носителей от 1.5·10¹⁸ до 6·10¹⁸ см^– 3. Показано, что в максимуме модового усиления для такого рода структур α-фактор находится в диапазоне 2 — 9 и в зависимости от режима работы лазера может изменяться в несколько раз для одной и той же структуры.

PACS: 42.55.Px, 85.30.Vw, 42.60.Mi

Поступила в редакцию: 28.10.1999