RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2020, том 50, номер 3, страницы 259–262 (Mi qe17215)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Статьи, посвященные 80-летию В.С.Летохова

Спектроскопическое исследование кристаллов GdVO4 : Yb + Er

С. А. Климинa, П. Луазоb, Д. Коранb, М. Н. Поповаa

a Институт спектроскопии РАН, г. Москва, г. Троицк
b Chimie ParisTech, PSL Research University, CNRS, Institut de Recherche de Chimie Paris, France

Аннотация: Синтезированы кристаллы GdVO4, легированные эрбием и иттербием с разными концентрациями, с целью выяснения их спектроскопических и кинетических свойств и природы активных центров. По спектрам пропускания и люминесценции в поляризованном свете построены схемы электронных уровней иона Er3+. Обнаружено, что время жизни на нижнем уровне возбужденного мультиплета 4I11/2 заметно снижается при увеличении концентрации иттербия. Наблюдалось образование неэквивалентных центров эрбия в кристаллах при повышении концентрации иттербия.

Ключевые слова: GdVO4 :Yb + Er, штарковские уровни, люминесценция, времена жизни, неэквивалентные центры.

Поступила в редакцию: 04.02.2020


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2020, 50:3, 259–262

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024