Аннотация:
По спектрам высокого разрешения исследованы форма и тонкая структура линий электронных f – f переходов ионов Tm3+ в многофункциональных кристаллах гранатов Y3Al5O12. Неоднородно уширенные линии имеют лоренцеву форму, что свидетельствует о доминирующем вкладе точечных дефектов в неоднородное уширение. Дефекты типа "иттрий на месте алюминия", возникающие в процессе высокотемпературного роста из расплава, обуславливают также появление спектральных спутников около основных линий.
Ключевые слова:YAG:Tm, спектроскопия высокого разрешения, форма линий, спектральные спутники.