RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2000, том 30, номер 4, страницы 283–284 (Mi qe1723)

Эта публикация цитируется в 6 статьях

Письма в редакцию

Поляризационные магнитооптические эффекты в непрерывном Nd3+:Bi4Ge3O12-лазере (λ=1.06425 и 1.3418 мкм) с полупроводниковой накачкой

А. А. Каминскийa, Н. В. Кравцовb, Н. И. Наумкинb, С. Н. Чекинаc, В. В. Фирсовb

a Институт кристаллографии им. А. В. Шубникова РАН, г. Москва
b Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова, Научно-исследовательский институт ядерной физики им. Д. В. Скобельцына
c Физический факультет, Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова

Аннотация: Исследована зависимость характеристик непрерывного лазера на кристалле Nd3+:Bi4Ge3O12 (λ=1.06425 мкм) от напряженности продольного магнитного поля. Обнаружена высокая чувствительность лазера к воздействию переменного магнитного поля с частотой, равной частоте релаксационных колебаний. Продемонстрирована также возможность получения в таком лазере непрерывной генерации с λ=1.3418 мкм.

PACS: 42.55.Rz, 42.55.Xi, 78.20.Ls

Поступила в редакцию: 27.01.2000


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2000, 30:4, 283–284

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024