Центральный научно-исследовательский испытательный институт Министерства обороны РФ, Мытищи, Моск.обл.
Аннотация:
Исследованы особенности деградации GaAlAs- и InGaAsP-гетеролазеров при старении (T=60°С) и в процессе облучения. Определены аналитические выражения, характеризующие увеличение дисперсии распределения порогового тока в зависимости от времени ресурсных испытаний и от дозы облучения потоками быстрых частиц.