RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2000, том 30, номер 4, страницы 321–322 (Mi qe1724)

Лазеры

Статистические особенности деградации гетеролазеров при старении и облучении

А. А. Кочетков

Центральный научно-исследовательский испытательный институт Министерства обороны РФ, Мытищи, Моск.обл.

Аннотация: Исследованы особенности деградации GaAlAs- и InGaAsP-гетеролазеров при старении (T=60°С) и в процессе облучения. Определены аналитические выражения, характеризующие увеличение дисперсии распределения порогового тока в зависимости от времени ресурсных испытаний и от дозы облучения потоками быстрых частиц.

PACS: 42.55.Px, 42.60.Lh, 61.80.Hg

Поступила в редакцию: 24.11.1999


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2000, 30:4, 321–322

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024