Генерация второй гармоники оптического излучения в кристаллах типа цинковой обманки при комбинированном воздействии фемтосекундного оптического и сильного терагерцевого полей

Проведены исследования влияния короткого интенсивного (с напряженностью электрического поля до 250 кВ/см) терагерцевого (ТГц) импульса на генерацию второй гармоники (ВГ) оптического излучения Ti : сапфирового лазера в кристаллах типа цинковой обманки InAs и GaAs, обладающих ненулевой объемной квадратичной восприимчивостью. Для образца InAs (100) экспериментально показано, что при s-поляризации первой и второй гармоник оптического излучения наложение s-поляризованного ТГц поля приводит к существенному изменению сигнала ВГ. При этом азимутальная зависимость сигнала ВГ, наведенная ТГц полем, хорошо согласуется с теоретическим расчетом, основанным на феноменологическом подходе. Исследована зависимость сигнала ВГ от времени задержки между оптическим и ТГц импульсами. Для кристалла GaAs данная зависимость повторяет огибающую интенсивности ТГц импульса, тогда как для кристалла InAs обнаружено заметное расхождение, обусловленное нелинейной динамикой сильного ТГц поля в нем.