К. Ю. Телегин, М. А. Ладугин, А. Ю. Андреев, И. В. Яроцкая, Н. А. Волков, А. А. Падалица, А. В. Лобинцов, А. Н. Апарников, С. М. Сапожников, А. А. Мармалюк, “Влияние легирования волновода на выходные характеристики лазерных излучателей на основе AlGaAs/GaAs”, Квантовая электроника, 50:5 (2020), 489

Эта публикация цитируется в 4 статьях

Лазеры, управление параметрами лазерного излучения

Влияние легирования волновода на выходные характеристики лазерных излучателей на основе AlGaAs/GaAs

К. Ю. Телегин^a, М. А. Ладугин^a, А. Ю. Андреев^a, И. В. Яроцкая^a, Н. А. Волков^a, А. А. Падалица^a, А. В. Лобинцов^a, А. Н. Апарников^a, С. М. Сапожников^a, А. А. Мармалюк^ab

^a АО «НИИ "Полюс" им. М. Ф. Стельмаха», г. Москва
^b Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", г. Москва

Аннотация: Проанализировано влияние легирования волноводных слоев на выходные характеристики лазерных излучателей на основе двойных гетероструктур раздельного ограничения AlGaAs/GaAs. Изучены гетероструктуры с узким и расширенным волноводами. Экспериментально получены образцы линеек лазерных диодов с нелегированными и легированными волноводными слоями, и проведено их сравнение. Показано, что последний вариант конструкции структур с расширенным волноводом позволяет при прочих равных условиях увеличить выходную мощность линеек лазерных диодов на 10% – 15%.

Ключевые слова: полупроводниковый лазер, линейка лазерных диодов, волновод, легирование, выходная мощность.

Поступила в редакцию: 24.01.2020