RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2020, том 50, номер 7, страницы 683–687 (Mi qe17278)

Эта публикация цитируется в 8 статьях

Лазеры

Полупроводниковый лазер с оптической накачкой на основе наноразмерной гетероструктуры CdS/ZnSe с разрывами зон второго типа

М. Р. Бутаевab, В. И. Козловскийab, Я. К. Скасырскийa

a Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН, г. Москва
b Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", г. Москва

Аннотация: Исследован полупроводниковый лазер c оптической накачкой на основе наноразмерной гетероструктуры CdS/ZnSe, содержащей 10 квантовых ям с разрывами зон второго типа. Структура выращена методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений на подложке GaAs. Время жизни электронно-дырочных пар при низком уровне накачки, измеренное по спаду люминесценции, оценивается в ~10 нс. При комнатной температуре и продольной накачке излучением импульсно-периодического N2-лазера достигнута пиковая мощность излучения полупроводникового лазера c микрорезонатором 7.2 Вт на длине волны 514 нм. Относительно низкий (0.35%) КПД лазера объясняется наличием усиленного спонтанного излучения, распространяющегося вдоль структуры. При поперечной накачке пиковая мощность и КПД лазера увеличиваются до 70 Вт и 3.5% .

Ключевые слова: ГФЭМОС, полупроводниковый лазер, CdS/ZnSe-гетероструктура, квантовые ямы, оптическая накачка.

Поступила в редакцию: 16.01.2020


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2020, 50:7, 683–687

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024