О механизмах образования упорядоченных структур дефектов при воздействии концентрированных потоков энергии

Предложена общая кинетическая модель развития концентрационно-деформационно-тепловых неустойчивостей в системе точечных дефектов (вакансии, межузлия, примеси) в кристаллах, находящихся под воздействием концентрированных потоков энергии. На основе этой модели рассмотрено образование периодических кольцевых структур вакансий и изгибной деформации в пленке на подложке. Найден период возникшей структуры, его зависимость от условий облучения и параметров пленки. Результаты теории удовлетворительно согласуются с экспериментом по лазерному осаждению пленок молибдена на диэлектрической подложке.