RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2020, том 50, номер 12, страницы 1140–1145 (Mi qe17362)

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Воздействие лазерного излучения на вещество

Влияние плотности мощности излучения СО2-лазера на коэффициент поглощения поликристаллических CVD-алмазов

М. С. Андрееваa, Н. В. Артюшкинb, М. И. Крымскийb, А. И. Лаптевb, Н. И. Полушинb, В. Е. Рогалинc, М. В. Рогожинb

a Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова
b Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", г. Москва
c Институт электрофизики и электроэнергетики РАН, г. С.-Петербург

Аннотация: Исследовано воздействие сфокусированного излучения непрерывного СО2-лазера на неохлаждаемую пластину поликристаллического CVD-алмаза в диапазоне плотностей мощности лазерного излучения 300–800 кВт/cм2 при времени облучения 1 с. Обнаружено, что при плотности мощности 800 кВт/cм2 коэффициент поглощения на 0.035см-1 больше, чем при 300 кВт/cм2. что связано с температурной зависимостью его фононно-индуцированного поглощения при изменении температуры пластины от 44 до 100 °С. Показано, что поликристаллический алмаз, в отличие от других оптических материалов, не подвержен нелинейному (лавинообразному) росту поглощения при плотностях мощности излучения СО2-лазера как минимум до 800 кВт/см2.

Ключевые слова: поликристаллический CVD-алмаз, СО2-лазер, излучение, плотность мощности, коэффициент поглощения, выходное окно, пирометр, математическое моделирование.

Поступила в редакцию: 18.08.2020
Исправленный вариант: 05.10.2020


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2020, 50:12, 1140–1145

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024