Экспериментальная методика исследования оптического поглощения в волноводных слоях полупроводниковых лазерных гетероструктур

Представлена методика исследования поглощения оптического излучения в слоях полупроводниковой гетероструктуры методом ввода зондирующего излучения. Исследования проводились с помощью специально изготовленных изотипных образцов на основе AlGaAs /GaAs, имитирующих лазерный волновод с легированием n-типа и концентрацией 10¹⁷ – 10¹⁸см^-3. Описаны основные особенности экспериментальной установки и методики расчета. Достигнуты высокий (до 95%) коэффициент ввода излучения в волновод и погрешность измерения коэффициента поглощения на уровне 0.1 см^-1. Экспериментально продемонстрированы возможности исследования поляризационной и температурной зависимостей поглощения излучения на свободных носителях. Показано, что при увеличении температуры в диапазоне 25 – 85 °С поглощение в образцах возрастает на 15%.