RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2021, том 51, номер 2, страницы 158–163 (Mi qe17397)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Генерация терагерцевого излучения

Терагерцевая лазерная генерация на гибридном поверхностном плазмоне в структуре на основе HgCdTe

А. А. Дубиновab, В. Я. Алешкинa, В. И. Гавриленкоa, В. В. Румянцевa, Н. Н. Михайловc, С. А. Дворецкийc, В. В. Уточкинa, С. В. Морозовa

a Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
b Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
c Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск

Аннотация: Исследована возможность усиления терагерцевого гибридного поверхностного плазмона в структуре с эпитаксиальной пленкой Hg0.82Cd0.18Te, выращенной на подложке GaAs и покрытой слоем металла. Показано, что при толщине пленки 100 нм и температуре 80 K модовое усиление гибридного поверхностного плазмона может быть больше внешних потерь при интенсивности излучения накачки с длиной волны 2.3 мкм, превышающей 850 кВт/см2. Дополнительное легирование слоя Hg0.82Cd0.18Te донорной примесью с концентрацией 4 × 1017 см-3 приведет к уменьшению пороговой интенсивности накачки в 1.5 раза.

Ключевые слова: гибридный плазмон, терагерцевое излучение, лазер.

Поступила в редакцию: 07.10.2020


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2021, 51:2, 158–163

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024