Аннотация:
Исследована возможность усиления терагерцевого гибридного поверхностного плазмона в структуре с эпитаксиальной пленкой Hg0.82Cd0.18Te, выращенной на подложке GaAs и покрытой слоем металла. Показано, что при толщине пленки 100 нм и температуре 80 K модовое усиление гибридного поверхностного плазмона может быть больше внешних потерь при интенсивности излучения накачки с длиной волны 2.3 мкм, превышающей 850 кВт/см2. Дополнительное легирование слоя Hg0.82Cd0.18Te донорной примесью с концентрацией 4 × 1017 см-3 приведет к уменьшению пороговой интенсивности накачки в 1.5 раза.