Н. А. Волков, А. Ю. Андреев, И. В. Яроцкая, Ю. Л. Рябоштан, В. Н. Светогоров, М. А. Ладугин, А. А. Падалица, А. А. Мармалюк, С. О. Слипченко, А. В. Лютецкий, Д. А. Веселов, Н. А. Пихтин, “Полупроводниковые AlGaInAs/InP-лазеры (λ = 1450 – 1500 нм) с сильно асимметричным волноводом”, Квантовая электроника, 51:2 (2021), 133

Эта публикация цитируется в 5 статьях

Лазеры

Полупроводниковые AlGaInAs/InP-лазеры (λ = 1450 – 1500 нм) с сильно асимметричным волноводом

Н. А. Волков^a, А. Ю. Андреев^a, И. В. Яроцкая^a, Ю. Л. Рябоштан^a, В. Н. Светогоров^a, М. А. Ладугин^a, А. А. Падалица^a, А. А. Мармалюк^ab, С. О. Слипченко^c, А. В. Лютецкий^c, Д. А. Веселов^c, Н. А. Пихтин^c

^a ООО "Сигм Плюс", г. Москва
^b Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", г. Москва
^c Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, г. С.-Петербург

Аннотация: Изучены полупроводниковые лазеры на основе гетероструктур AlGaInAs/InP с сильно асимметричным волноводом. Показано, что применение такого волновода при одновременном увеличении энергетической глубины квантовой ямы обеспечивает условия для достижения повышенной мощности излучения. Полупроводниковые AlGaInAs/InP-лазеры на основе сильно асимметричного волновода с полосковым контактом шириной 100 мкм продемонстрировали выходную оптическую мощность 5 Вт (ток накачки 11.5 А) в непрерывном и 19 Вт (100 А) в импульсном (100 нс, 1 кГц) режимах работы при комнатной температуре на длине волны генерации 1450 – 1500 нм. Проведено сравнение полученных данных с выходными характеристиками лазеров на основе симметричного волновода.

Ключевые слова: полупроводниковый лазер, гетероструктура, AlGaInAs/InP, асимметричный волновод.

Поступила в редакцию: 11.11.2020