RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2021, том 51, номер 3, страницы 211–216 (Mi qe17414)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Нелинейно-оптические явления

Нелинейное оптическое поглощение тонких пленок галогенидных перовскитов при фемтосекундном возбуждении на длинах волн 1064 и 532 нм

Д. В. Худяковa, Д. В. Ганинa, А. Д. Ляшедькоb, Л. А. Фроловаcd, П. А. Трошинcd, А. С. Лобачd

a Центр физического приборостроения Института общей физики им. А. М. Прохорова РАН, г. Троицк, г. Москва
b ООО "Оптосистемы", г. Москва, г. Троицк
c Сколковский институт науки и технологий
d Институт проблем химической физики РАН, г. Черноголовка Московской обл.

Аннотация: С использованием метода z-сканирования исследованы нелинейно-оптические отклики перовскитных пленок CsPbI2Br, MAPbI3 + 1% поливинилкарбазола, MA0.15FA0.75Cs0.1PbI2.85Br0.15 и MA0.15FA0.75Cs0.1PbI3 при облучении фемтосекундными импульсами на длинах волн 1064 и 532 нм. Обнаружено, что при облучении на длине волны 1064 нм в пленках перовскитов возникает нелинейное поглощение, причем в тонких (45 – 65 нм) пленках коэффициент нелинейного поглощения (524 – 928 см/ГВт) существенно больше, чем в толстых (120 – 350 нм) пленках, где он составляет 38 – 50 см/ГВт. Показано, что интенсивность насыщения нелинейного поглощения для пленок перовскитов зависит от длительности импульса накачки и увеличивается с ее уменьшением. Также установлено, что в пленках металлоорганических перовскитов коэффициенты нелинейного поглощения больше, чем в пленке неорганического перовскита CsPbI2Br. Просветление пленочных образцов при z-сканировании на длине волны 532 нм связано с необратимой фотохимической деградацией пленок при облучении светом с большой интенсивностью. Кинетика фотохимического выцветания пленок зарегистрирована на длине волны 532 нм.

Ключевые слова: металлоорганические галогенидные перовскиты, тонкие пленки перовскитов, полупроводниковые материалы, нелинейное оптическое поглощение, двухфотонное поглощение.

Поступила в редакцию: 27.11.2020


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2021, 51:3, 211–216

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024