RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2000, том 30, номер 5, страницы 459–461 (Mi qe1743)

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Применения лазеров и другие вопросы квантовой электроники

Спектроскопия нестационарной фотопроводимости в поликристаллических алмазных пленках

С. М. Климентовa, С. В. Гарновa, С. М. Пименовb, В. И. Коновb, С. Глорc, В. Лютиc, Х. П. Веберc

a Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, г. Москва
b Центр естественно-научных исследований Института общей физики РАН, Москва
c Institute of Applied Physics, University of Bern

Аннотация: Бесконтактный метод нестационарной фотопроводимости и перестраиваемый параметрический генератор света использованы для регистрации спектров фотовозбуждения неравновесных носителей тока в поликристаллических алмазных пленках в видимой области (430 — 690 нм). Предварительное облучение образцов интенсивными УФ лазерными импульсами приводило к перераспределению населенности глубоких ловушечных уровней и сопровождалось значительным долговременным возрастанием фоточувствительности в спектральной полосе вблизи 2 эВ.

PACS: 73.50.Pz, 81.05.Tp, 42.62.Fi

Поступила в редакцию: 02.11.1999


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2000, 30:5, 459–461

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024