Н. А. Волков, В. Н. Светогоров, Ю. Л. Рябоштан, А. Ю. Андреев, И. В. Яроцкая, М. А. Ладугин, А. А. Падалица, А. А. Мармалюк, С. О. Слипченко, А. В. Лютецкий, Д. А. Веселов, Н. А. Пихтин, “Сравнение полупроводниковых лазеров AlGaInAs/InP (λ = 1450–1500 нм) со сверхузким и сильно асимметричным типом волноводов”, Квантовая электроника, 51:4 (2021), 283

Эта публикация цитируется в 5 статьях

Лазеры

Сравнение полупроводниковых лазеров AlGaInAs/InP (λ = 1450–1500 нм) со сверхузким и сильно асимметричным типом волноводов

Н. А. Волков^a, В. Н. Светогоров^a, Ю. Л. Рябоштан^a, А. Ю. Андреев^a, И. В. Яроцкая^a, М. А. Ладугин^a, А. А. Падалица^a, А. А. Мармалюк^ab, С. О. Слипченко^c, А. В. Лютецкий^c, Д. А. Веселов^c, Н. А. Пихтин^c

^a ООО "Сигм Плюс", г. Москва
^b Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", г. Москва
^c Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, г. С.-Петербург

Аннотация: Проведено сравнительное изучение полупроводниковых лазеров на основе гетероструктур AlGaInAs/InP со сверхузким и сильно асимметричным волноводами. Показано, что применение таких волноводов при одновременном увеличении энергетической глубины квантовой ямы обеспечивает возможность достижения повышенной мощности. Подобные лазеры на основе как сильно асимметричного, так и сверхузкого волноводов с полосковыми контактами шириной 100 мкм продемонстрировали выходную оптическую мощность 5 Вт (при токах накачки 11.5 и 14 А соответственно) в непрерывном режиме работы при комнатной температуре на длине волны генерации 1450–1500 нм.

Ключевые слова: полупроводниковый лазер, гетероструктура, AlGaInAs/InP, сверхузкий волновод, асимметричный волновод.

Поступила в редакцию: 16.02.2021