RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2021, том 51, номер 6, страницы 511–517 (Mi qe17463)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Физика ультрахолодных атомов и их применения

Уширение уровней энергии ридберговских состояний с малыми орбитальными моментами в ионах группы IIb термоизлучением окружающей среды

И. Л. Глухов, А. А. Каменский, В. Д. Овсянников

Воронежский государственный университет

Аннотация: Представлен вывод простых аналитических выражений для расчетов индуцируемых излучением черного тела (ИЧТ) ширин ридберговских состояний с малыми орбитальными моментами в ионах Zn+, Cd+, Hg+ группы IIb периодической системы элементов при температурах окружающей среды от 100 до 3000 K. Рассчитаны вероятности радиационных переходов из возбужденных nS-, nP-, nD- и nF-состояний во все дипольно-доступные состояния ионов. При расчетах амплитуд связанно-связанных переходов использованы волновые функции метода квантового дефекта (МКД) для начального и конечного состояний ридберговского электрона. Определены зависимости вероятностей индуцированных распадов и возбуждений от температуры ИЧТ, главного и орбитального квантовых чисел ридберговского иона. Получены аналитические выражения для численных оценок вкладов вероятностей термоиндуцированных распадов и возбуждений в ширину ридберговского энергетического уровня. Рассчитаны численные значения коэффициентов интерполяционных полиномов, представляющих асимптотические разложения по степеням главного квантового числа n для относительных вероятностей распадов и возбуждений ридберговских состояний с большими значениями n и малыми орбитальными моментами l = 0, 1, 2, 3.

Ключевые слова: атом, ион, группа IIb, ридберговские состояния, излучение черного тела, вероятность распада, возбуждения, метод квантового дефекта.

Поступила в редакцию: 29.03.2021
Исправленный вариант: 22.04.2021


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2021, 51:6, 511–517

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024