RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2000, том 30, номер 6, страницы 483–485 (Mi qe1747)

Эта публикация цитируется в 14 статьях

IV Международная конференция по импульсным лазерам на переходах атомов и молекул (AMP'99)

Характеристики разряда в нецепном HF(DF)-лазере

В. В. Аполлонов, С. Ю. Казанцев, А. В. Сайфулин, К. Н. Фирсов

Институт общей физики РАН, Москва

Аннотация: Установлено, что при стандартных для нецепных HF(DF)-лазеров составах смесей SF6 с углеводородами (угледейтеридами) приведенная к парциальному давлению SF6(pSF6) напряженность электрического поля в квазистационарной фазе объемного самостоятельного разряда (E/pSF6)st=92 B/(м·Па) близка к известной критической величине (E/p)cr=89 В/(м·Па), задаваемой условием равенства скоростей ионизации SF6 электронным ударом и прилипания электронов к молекулам SF6. Это свидетельствует об определяющей роли именно данных двух процессов и позволяет при расчете характеристик разряда использовать известные аппроксимации эффективного коэффициента ионизации и дрейфовой скорости электронов для чистого SF6. Осциллограммы напряжения и тока, рассчитанные в указанном приближении в лазерах с апертурами 4 — 27 см, отклонялись от экспериментальных не более чем на 10%.

PACS: 42.55.Ks, 52.80.Mg

Поступила в редакцию: 15.10.1999


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2000, 30:6, 483–485

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024