Удаление оксидных пленок излучением XeCl-лазера для дезактивации поверхностей

Для очистки больших поверхностей с помощью автоматизированного устройства на базе эксимерного XeCl-лазера использована лазерная абляция. Основное внимание уделено очистке металлических окисленных поверхностей, являющихся типичными представителями поверхностей, загрязненных радионуклидами в процессе эксплуатации ядерных электростанций. Устройство состоит из XeCl-лазера, системы доставки излучения к поверхности, коллектора частиц загрязнения и системы контроля очистки в реальном масштабе времени. Рассмотрено взаимодействие излучения с поверхностью, в частности повреждение чистой поверхности очищающим излучением. Система доставки излучения к поверхности состоит из пучка волоконных световодов длиной 5 м и обеспечивает доставку лазерного излучения мощностью 150 Вт на длине волны 308 нм. Очистка контролируется регистрацией эволюции электрического поля плазмы в реальном масштабе времени. Система обеспечивает очистку поверхности со скоростью от 2 до 6 м²/ч при весьма незначительном изменении очищаемой поверхности.