RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2000, том 30, номер 7, страницы 597–600 (Mi qe1773)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Воздействие лазерного излучения на вещество. Лазерная плазма

О механизме формирования локального расплава на поверхности монокристаллических полупроводников при мощном световом облучении

Я. В. Фаттахов, М. Ф. Галяутдинов, Т. Н. Львова, И. Б. Хайбуллин

Казанский физико-технический институт им. Е. К. Завойского, Казанского Научного Центра РАН

Аннотация: Исследована динамика анизотропного локального плавления монокристаллических полупроводников при облучении мощными импульсами когерентного и некогерентного света. Полученные in situ зависимости размеров и плотности (на единицу площади) локальных областей плавления от времени интерпретируются в рамках модели существования кратковременного метастабильного состояния, характеризующегося перегревом в твердой фазе. Обсуждаются эксперименты, необходимые для окончательного ответа на вопрос о механизме обнаруженного эффекта.

PACS: 61.80.Ba, 61.82.Fk

Поступила в редакцию: 16.12.1999


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2000, 30:7, 597–600

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024