RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2000, том 30, номер 7, страницы 632–634 (Mi qe1780)

Эта публикация цитируется в 6 статьях

Нелинейно-оптические явления и приборы

Высокоэффективный параметрический преобразователь на кристаллах КТР

В. Л. Наумовa, А. М. Онищенкоa, А. С. Подставкинb, А. В. Шестаковa

a Федеральное государственное унитарное предприятие НИИ "Полюс" им. М. Ф. Стельмаха
b ООО «Научно-производственный центр "ЭЛС-94"», г. Москва

Аннотация: Создан высокоэффективный внерезонаторный параметрический генератор на кристаллах КТР для преобразования излучения лазеров на кристаллах ИАГ:Nd3+ с λ = 1.064 мкм в излучение с λ = 1.573 мкм и исследованы его генерационные характеристики. Получен дифференциальный КПД преобразования 56.5% при пороговой плотности энергии 0.06 Дж/см2. В широком диапазоне энергий накачки расходимость параметрического излучения не превышает четырех дифракционных пределов. Продемонстрирована возможность стабильной работы при более чем 30-кратном превышении энергии накачки над пороговой.

PACS: 42.65.Yj, 42.70.Mp

Поступила в редакцию: 23.02.2000


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2000, 30:7, 632–634

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024