П. Г. Елисеев, Х. Ли, Г. Т. Лиу, А. Штинц, Т. С. Ньювел, Л. Ф. Лестер, К. Д. Меллой, “Оптическое усиление в структурах c квантовыми точками на основе InAs/InGaAs. Эксперименты и теоретическая модель”, Квантовая электроника, 30:8 (2000), 664

Эта публикация цитируется в 10 статьях

Лазеры

Оптическое усиление в структурах c квантовыми точками на основе InAs/InGaAs. Эксперименты и теоретическая модель

П. Г. Елисеев^a, Х. Ли^b, Г. Т. Лиу^b, А. Штинц^b, Т. С. Ньювел^b, Л. Ф. Лестер^b, К. Д. Меллой^b

^a Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва
^b Centre for High Technology Materials, University of New Mexico, USA

Аннотация: Зависимость модового оптического усиления от тока в InAs/InGaAs-структурах с квантовыми точками, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии, получена при экспериментальном исследовании сверхнизкопороговых лазерных диодов. Рекордно малый порог инверсии при комнатной температуре составил около 13 А/см². Предложена теоретическая модель, описывающая оптическое усиление за счет переходов между основными состояниями в квантовой точке. Эффективное сечение усиления оценено величиной ~7·10^–15 cм².

PACS: 42.55.Px, 42.60.Jf

Поступила в редакцию: 23.03.2000