RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2000, том 30, номер 8, страницы 675–680 (Mi qe1790)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Активные среды

Конкуренция генерационных линий в газовых лазерах

А. А. Пикулев

Российский федеральный ядерный центр — Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики, г. Саров

Аннотация: Рассмотрена одновременная генерация на двух линиях, имеющих общий верхний рабочий уровень. В рамках двухуровневой модели получена формула для коэффициента усиления на каждой линии. Найдено, что конкуренция может быть двух типов: симбиоз и гашение. Показано, что конкуренция в режиме гашения может использоваться для исследования скоростей заселения нижних уровней. Полученные результаты проиллюстрированы диаграммами конкуренции линий с λ = 2.65 и 2.03 мкм атома Xe для смеси Ar — Xe и линий с λ = 703.2 и 724.5 нм атома Ne для смеси Ne — Ar.

PACS: 42.55.Lt, 42.60.Lh

Поступила в редакцию: 23.09.1999


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2000, 30:8, 675–680

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024