RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2021, том 51, номер 9, страницы 759–767 (Mi qe17908)

Эта публикация цитируется в 17 статьях

Взаимодействие экстремальных полей с веществом

Дизайн стартовой части субэкзаваттного лазера проекта XCELS

И. Б. Мухин, А. А. Соловьев, Е. А. Перевезенцев, А. А. Шайкин, В. Н. Гинзбург, И. В. Кузьмин, М. А. Мартьянов, И. А. Шайкин, А. А. Кузьмин, С. Ю. Миронов, И. В. Яковлев, Е. А. Хазанов

Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, г. Нижний Новгород

Аннотация: Представлена концепция стартовой части проекта XCELS (eXawatt Center for Extreme Light Studies). Дизайн нацелен на достижение высокой стабильности параметров излучения и возможности управления ими в широких пределах. На выходе стартовой части будут реализованы оптически синхронизованные чирпированные импульсы сигнала (длина волны 910 нм, ширина полосы более 100 нм, длительность ~3 нс) и накачки (длина волны 1054 нм, полоса ~1 нм, длительность ~4 нс) параметрических усилителей XCELS. Чирпированные фемтосекундные импульсы с энергией свыше 100 мДж (длительность после компрессии не более 15 фс со стабилизацией фазы относительно огибающей) будут следовать с частотой до 100 Гц, что позволит реализовать активную стабилизацию энергии и минимизацию углового джиттера излучения на выходе XCELS. Применение пикосекундной накачки в параметрическом усилителе стартовой части обеспечит высокий контраст фемтосекундных импульсов. Импульс накачки будет обладать линейной частотной модуляцией, что не скажется на эффективности параметрического усиления, но позволит с использованием спектральных методов управлять его формой с целью получения заданной формы импульса на выходе силовых усилителей даже в режиме их сильного насыщения.

Ключевые слова: фемтосекундные лазеры, сверхмощные лазеры, XCELS, параметрическое усиление, оптическая синхронизация, управление профилем импульса.

Поступила в редакцию: 17.04.2021
Исправленный вариант: 11.08.2021


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2021, 51:9, 759–767

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024