Аннотация:
Детально исследована природа декогерентности в наиболее оптимальной с точки зрения магнитометрии алмазной пластине, а именно в пластине с компромиссными значениями концентрации и времени когерентности NV-центров. В этой пластине измерена концентрация С-центров, являющихся донорами для формирования NV-центров и в то же время ограничивающих их время когерентности. Ансамбль NV-центров в алмазе был использован в качестве чувствительного элемента, позволяющего регистрировать динамику когерентности и концентрацию С-центров. Для регистрации применялся метод оптического двойного электрон-электронного резонанса. Его существенным преимуществом перед методом ИК спектроскопии, которым измеряется некоторая средняя концентрация дефектов в алмазной пластине, является возможность локального измерения концентрации С-центров. Предложенным нами методом определена концентрация C-центров, составившая 50.1 ± 1.4 ppm, что уточняет результат измерений методом ИК спектроскопии, равный 57.5 ± 4.8 ppm.