Мощные импульсные полупроводниковые лазеры (910 нм) мезаполосковой конструкции со сверхширокой излучающей апертурой на основе туннельно-связанных гетероструктур InGaAs/AlGaAs/GaAs

Исследованы характеристики мощных полупроводниковых лазеров с шириной излучающей апертуры 800 мкм, изготовленных на основе туннельно-связанных гетероструктур InGaAs/AlGaAs/GaAs с тремя оптически не связанными лазерными частями. При накачке импульсами тока с амплитудой 47 А и длительностью 1 мкс продемонстрирована максимальная мощность 110 Вт, причем наибольший нагрев активной области не превысил 4.7 °С. При длительности лазерных импульсов 860 мкс максимальная оптическая мощность составила 22.6 Вт, при этом падение оптической мощности в конце импульса достигало 6.7%. Уменьшение длительности лазерного импульса до 85 мкс позволило довести пиковую лазерную мощность до 41.4 Вт при амплитуде тока накачки 20 А.