Н. А. Волков, К. Ю. Телегин, Н. В. Гультиков, Д. Р. Сабитов, А. Ю. Андреев, И. В. Яроцкая, А. А. Падалица, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, Л. И. Шестак, А. А. Козырев, В. А. Панарин, “Улучшение параметров вольт-амперной характеристики полупроводниковых лазеров InGaAs/AlGaAs/GaAs (λ = 940–980 нм) с расширенным асимметричным волноводом”, Квантовая электроника, 52:2 (2022), 179

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Лазеры

Улучшение параметров вольт-амперной характеристики полупроводниковых лазеров InGaAs/AlGaAs/GaAs (λ = 940–980 нм) с расширенным асимметричным волноводом

Н. А. Волков^a, К. Ю. Телегин^a, Н. В. Гультиков^a, Д. Р. Сабитов^a, А. Ю. Андреев^a, И. В. Яроцкая^a, А. А. Падалица^a, М. А. Ладугин^a, А. А. Мармалюк^ab, Л. И. Шестак^c, А. А. Козырев^cb, В. А. Панарин^c

^a ООО "Сигм Плюс", г. Москва
^b Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", г. Москва
^c ФГУП Научно-производственное предприятие "Инжект", г. Саратов

Аннотация: Целью работы было улучшение параметров вольт-амперной характеристики (ВАХ) полупроводниковых лазеров на основе двойных гетероструктур раздельного ограничения InGaAs/AlGaAs/GaAs с расширенным асимметричным волноводом. Проанализировано влияние состава волноводных слоев AlGaAs на выходные характеристики лазеров. Показано, что снижение последовательного сопротивления лазеров и напряжения отсечки ВАХ при уменьшении доли AlAs в волноводных слоях отодвигает начало падения дифференциальной квантовой эффективности с увеличением тока накачки, несмотря на уменьшение энергетической глубины квантовых ям активной области.

Ключевые слова: полупроводниковый лазер, асимметричный волновод, вольт-амперная характеристика, квантовая яма, выходная мощность.

Поступила в редакцию: 15.11.2021