RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2022, том 52, номер 4, страницы 362–366 (Mi qe18017)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Лазеры

Полупроводниковый дисковый лазер с длиной волны излучения 780 нм на гетероструктуре AlxGa1– xAs/AlyGa1– yAs, выращенной методом MOCVD, с оптической накачкой и накачкой электронным пучком

М. Р. Бутаевab, Я. К. Скасырскийa, В. И. Козловскийab, А. Ю. Андреевc, И. В. Яроцкаяc, А. А. Мармалюкc

a Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва
b Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", г. Москва
c АО "НИИ "Полюс" им. М.Ф.Стельмаха", Москва, Россия

Аннотация: Исследован импульсный полупроводниковый дисковый лазер на структуре AlxGa1–xAs/AlyGa1–yAs с резонанснопериодическим усилением и встроенным брэгговским зеркалом, излучающий на длине волны вблизи 780 нм. Приведены характеристики лазера как при накачке электронным пучком, так и при оптической накачке излучением лазерного диода с длиной волны 450 нм. В случае накачки электронным пучком достигнута пиковая мощность 4.4 Вт при дифференциальном КПД свыше 10%, тогда как при оптической накачке мощность составила 0.2 Вт при дифференциальном КПД 2.2% и примерно одинаковых параметрах резонатора. Обсуждаются возможные причины более низких мощностей и КПД при оптической накачке.

Ключевые слова: полупроводниковый дисковый лазер, структура AlxGa1–xAs/AlyGa1–yAs, квантовая яма, электронный пучок, оптическая накачка, MOCVD.

Поступила в редакцию: 23.12.2021
Принята в печать: 23.12.2021


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2022, 52:4, 362–366

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024