Щелевые лазеры на основных и обертонных переходах молекулы окиси углерода с накачкой емкостным высокочастотным разрядом и криогенным охлаждением электродов

Инициированные Н.Г. Басовым в первой половине 1970-х гг. работы по созданию электроионизационных лазеров на окиси углерода позволили создать лазеры на основных переходах молекулы СО с высокой мощностью и эффективностью генерации излучения. Вскоре под его научным руководством была получена генерация излучения на обертонных переходах молекулы СО. В продолжение этих работ десять с небольшим лет назад в Отделении квантовой радиофизики им. Н.Г. Басова в ФИАНе впервые был создан компактный щелевой СО-лазер с накачкой импульсно-периодическим емкостным высокочастотным разрядом и криогенным охлаждением электродов, действующий без принудительной прокачки активной среды. В настоящее время средняя мощность генерации таких лазеров достигает 40 Вт на основных переходах молекулы СО (в диапазоне длин волн 5.06 – 5.92 мкм) и 6 Вт на обертонных переходах (2.60 – 3.05 мкм) при объеме активной среды ~35 см³. В режиме модуляции добротности резонатора эти лазеры позволяют получать излучение с пиковой мощностью до 5 кВт, что дает возможность использовать их в экспериментах по нелинейно-оптическому преобразованию частоты их излучения в нелинейных кристаллах в спектральный диапазон примерно 2 – 20 мкм.