Лазерные диоды (850 нм) на основе асимметричной AlGaAs/GaAs-гетероструктуры с объемной активной областью для генерации мощных субнаносекундных оптических импульсов

Разработаны и исследованы лазерные диоды, изготовленные на основе асимметричной гетероструктуры AlGaAs/GaAs с объемной активной областью, оптимизированной для генерации мощных субнаносекундных оптических импульсов в режиме модуляции усиления. Оптимизация конструкции асимметричной гетероструктуры позволила получить параметр d/Г = 4.2 мкм (при толщине объемной активной области GaAs d = 45 нм и факторе оптического ограничения Г = 1.08 %). Разработанные лазерные диоды с широкой излучающей апертурой (100 мкм) в режиме модуляции усиления продемонстрировали пиковую выходную оптическую мощность 22 Вт при длительности одиночного импульса на полувысоте менее 110 пс.