RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2022, том 52, номер 9, страницы 789–793 (Mi qe18147)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Лазеры

Мощный источник спектрально-узкополосного излучения на основе интегрированных лазерных диодов с внешним резонатором

В. А. Панаринa, Г. Т. Микаелянa, И. В. Галушкаa, Н. Н. Беглецоваa, И. А. Зиминa, А. Е. Дракинb, Н. В. Дьячковb, Т. И. Гущикb, А. П. Богатовb

a ООО "НПП Инжект", г. Саратов
b Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва

Аннотация: Продемонстрирована интеграция 24-х лазерных диодов с внешним резонатором в один спектрально-узкополосный излучатель с длиной волны вблизи 779 нм, суммарной мощностью свыше 35 Вт и шириной спектра не более 0.1 нм. Использование в излучателе объемной фазовой решетки в качестве спектрально-селективного элемента позволяет сузить ширину спектра до 0.02 нм и менее.

Ключевые слова: диодная накачка, узкий спектр, внешний резонатор, фазовая решетка.

Поступила в редакцию: 04.07.2022


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2023, 50:suppl. 1, S11–S17


© МИАН, 2024