Мощные лазерные диоды на основе InGaAs(Р)/Al(In)GaAs(P)/GaAs-гетероструктур с низкими внутренними оптическими потерями

Подробно изложены основные результаты работ по созданию мощных полупроводниковых лазерных диодов на основе асимметричных полупроводниковых гетероструктур InGaAs(Р)/Al(In)GaAs(P)/GaAs с низкими внутренними оптическими потерями, концепция которой была предложена в ФТИ им. А.Ф.Иоффе. Рассмотрены основные технологические подходы с целью создания сильнонапряженных активных областей лазеров для спектрального диапазона до 1100 нм. Представлены результаты исследований непрерывных мощных многомодовых полупроводниковых лазеров, излучающих в диапазонах длин волн 780 – 850, 900 – 980 и 1000 – 1100 нм, мощных полупроводниковых лазеров, работающих в импульсном режиме генерации, и мощных лазеров со сверхширокой излучающей апертурой. Рассмотрены основные факторы, определяющие насыщение выходной оптической мощности мощных полупроводниковых лазеров.