Полупроводниковые лазеры с улучшенными излучательными характеристиками

Исследованы характеристики полупроводниковых излучателей на основе двойных гетероструктур раздельного огра­ничения с квантовыми ямами и с различной конфигурацией волноводных слоев. Рассмотрены лазеры с тонким и тол­стым волноводом применительно к решению задачи повышения выходной мощности. Проведено сравнение полупроводниковых излучателей с нелегированными и легированными волноводными слоями. Рассмотрены лазеры со сверхтон­ким и утолщенным сильно асимметричным волноводом. Показано, что снижение последовательного и теплового сопротивления уменьшает саморазогрев лазеров и положительно сказывается на повышении выходной мощности и КПД. Продемонстрированы перспективы использования эпитаксиальной интеграции для создания лазеров с несколькими туннельно-связанными излучающими секциями с целью повышения выходной мощности и яркости. Показана воз­можность создания монолитно-интегрированных лазеров-тиристоров, сочетающих в одном кристалле излучающую секцию и электронный ключ.