RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2023, том 53, номер 5, страницы 370–373 (Mi qe18214)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Лазеры

Диэлектрические высокоотражающие зеркальные покрытия для квантовых каскадных лазеров с длиной волны излучения 4 – 5 мкм

К. А. Подгаецкийa, А. В. Лобинцовa, А. И. Даниловa, А. В. Ивановa, М. А. Ладугинa, А. А. Мармалюкabc, В. В. Дюделевd, Д. А. Михайловd, Д. В. Чистяковd, А. В. Бабичевe, Г. М. Савченкоd, А. В. Лютецкийd, С. О. Слипченкоd, Н. А. Пихтинd, А. Г. Гладышевe, И. И. Новиковf, Л. Я. Карачинскийf, А. Ю. Егоровfg, Г. С. Соколовскийd

a Научно-исследовательский институт "Полюс" им. М. Ф. Стельмаха, г. Москва
b Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", г. Москва
c Российский университет дружбы народов, г. Москва
d Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
e ООО "Коннектор Оптикс", г. Санкт-Петербург
f Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
g Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет имени Ж. И. Алфёрова Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Проведен расчет диэлектрических зеркал для квантовых каскадных лазеров среднего ИК диапазона. Подобраны оптимальные материалы диэлектриков для минимизации поглощения лазерного излучения. Изготовлены образцы излучающих в спектральном диапазоне 4 – 5 мкм квантовых каскадных лазеров с различными диэлектрическими высокоотражающими зеркальными покрытиями и исследованы их характеристики. Показано, что нанесение на заднюю грань резонатора высокоотражающего покрытия Si – Si3N4 привело к увеличению выходной оптической мощности исследуемых лазеров на 71% по сравнению с контрольными образцами без покрытий. Использование покрытия Si – SiO2 позволило повысить выходную мощность излучателей на 88%.

Ключевые слова: квантовый каскадный лазер, высокоотражающие зеркала, выходная мощность, инфракрасный диапазон.

Поступила в редакцию: 01.03.2023


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2023, 50:suppl. 10, S1079–S1083


© МИАН, 2024