Исследование структурных изменений в тонком кристалле GeTe под действием мощного фемтосекундного лазерного излучения методом электронной дифракции

Исследована возможность перехода в аморфную форму тонкого кристалла теллурида германия в результате воздействия мощных фемтосекундных импульсов лазерного излучения на длине волны 800 нм. В качестве образца взята пленка толщиной 20 нм кристаллического полупроводника GeTe. Для анализа структурных изменений использован электронограф с источником коротких фотоэлектронных импульсов. Выполнен анализ дифракционных картин и осуществлена идентификация α- и β-фазы в GeTe. Установлено, что в сильном лазерном поле фемтосекундной длительности происходит процесс абляции образца, который сопровождается уменьшением толщины кристаллической фазы до 5 – 6 нм без существенной аморфизации образца. Отмечена особенность наблюдаемого процесса – отсутствие светоиндуцированного перехода из кристаллического в аморфное состояние при облучении тонкой пленки GeTe фемтосекундными лазерными импульсами. Обсуждаются возможные причины обнаруженного эффекта.