RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2023, том 53, номер 2, страницы 136–144 (Mi qe18223)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

КЭД процессы в сильном лазерном поле

О возможности наблюдения радиационных эффектов при взаимодействии сверхмощного лазерного излучения магнитодипольной конфигурации с плазмой

А. В. Башиновa, Е. С. Ефименкоa, А. А. Муравьевa, В. Д. Волокитинb, Е. А. Пановаb, И. Б. Мееровb, А. М. Сергеевa, А. В. Кимa

a Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, г. Нижний Новгород
b Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского

Аннотация: Рассмотрена проблема учета радиационных потерь при описании динамики заряженной частицы в электромагнитных полях. Решение этой фундаментальной проблемы становится все более востребованным в свете создания сверхсильных лазеров. Поскольку генерация излучения заряженной частицей зависит как от величин полей, в которых она двигается, так и от их структуры, то разрабатываемые мультипетаваттные многопучковые лазерные системы, такие как XCELS, могут открыть уникальные пути решения этой проблемы. В настоящей работе предлагается один из таких путей, основанный на использовании магнитодипольной конфигурации поля, формируемой несколькими лазерными импульсами. С помощью численного моделирования мы показываем, что при облучении твердотельной мишени в виде нанопровода несколькими петаваттными лазерными импульсами, максимизирующими магнитное поле в фокусе, может возникать режим аномального радиационного захвата. Формируемые распределения ускоренных электронов и генерируемых гамма-фотонов в этом режиме имеют отличительные свойства, на основе которых можно экспериментально определить применимость различных теоретических подходов к описанию радиационных потерь.

Ключевые слова: магнитодипольная фокусировка, радиационные потери, аномальный радиационный захват.

Поступила в редакцию: 30.11.2022
Принята в печать: 30.11.2022


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2023, 50:suppl. 6, S660–S670


© МИАН, 2024