RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2023, том 53, номер 2, страницы 182–188 (Mi qe18231)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Ускорение частиц

Многокаскадное лазерно-плазменное ускорение ультракоротких сгустков электронов и позитронов

М. Е. Вейсманab, И. Р. Умаровabc, Д. В. Пугачёваa, Н. Е. Андреевabc

a Объединенный институт высоких температур РАН, г. Москва
b Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, г. Нижний Новгород
c Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет), Московская облаcть, г. Долгопрудный

Аннотация: Предложен вариант многокаскадного ускорения электронов на базе многоканальной лазерной установки с пиковой мощностью лазерного импульса до 15 ПВт в одном канале. В отличие от сильно нелинейных режимов ускорения с наличием кавитации электронной плотности на оси распространения излучения, предложенный умеренно нелинейный режим позволит достичь не только достаточно высоких энергий (60 – 100 ГэВ на трех-пяти каскадах ускорителя), но и высокого качества ускоренных электронных сгустков (относительный разброс по энергиям не более 1 %, нормализованный эмиттанс не более 1 мм·мрад), что важно для многочисленных приложений, таких как проведение прецизионных тестов Стандартной модели, экспериментов по квантовой электродинамике (генерация электрон-позитронных пар), экспериментов по созданию мощных источников коротковолнового (гамма-кванты) излучения. Реализация проекта позволит вплотную подойти к этим важным для развития теории и современных практических приложений исследованиям. Проведенный предварительный аналитический анализ и численное моделирование подтверждают достижимость указанных параметров электронных сгустков в случае реализации предложенного проекта.

Ключевые слова: кильватерное поле, лазерно-плазменное ускорение электронов и позитронов, многокаскадные ускорители.

Поступила в редакцию: 30.11.2022
Принята в печать: 30.11.2022


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2023, 50:suppl. 6, S724–S733


© МИАН, 2024